Flash 全名為Flash Memory，我們平時(shí)一般叫“閃存”，是存儲(chǔ)芯片的一種。它結(jié)合了ROM和RAM的長(zhǎng)處，不僅具備電子可擦除可編程（EEPROM）的性能，還可以快速讀取數(shù)據(jù)的優(yōu)勢(shì)，使數(shù)據(jù)不會(huì)因?yàn)閿嚯姸鴣G失。
Flash主要有Nor Flash、Nand Flash、eMMC、UFS。
根據(jù)硬件上存儲(chǔ)原理的不同，F(xiàn)lash Memory 主要可以分為 Nor Flash 和 Nand Flash 兩類。鑒于 Nor Flash 讀寫速度慢，成本高等特性，Nor Flash 主要應(yīng)用于小容量、內(nèi)容更新少的場(chǎng)景，例如 PC 主板 BIOS（Basic Input Output System）、路由器系統(tǒng)存儲(chǔ)等。近年來，因5G、IoT、AMOLED和智能汽車等下游市場(chǎng)的快速發(fā)展，NOR Flash的應(yīng)用也更為廣泛。
Nand Flash根據(jù)每個(gè)存儲(chǔ)單元內(nèi)存儲(chǔ)比特個(gè)數(shù)的不同，主要分為 SLC（Single-Level Cell）、MLC（Multi-Level Cell） 、 TLC（Triple-Level Cell）、QLC（Quad-Level Cell）四大類。其中，在一個(gè)存儲(chǔ)單元中，SLC 可以存儲(chǔ)1個(gè)比特，MLC 可以存儲(chǔ)2個(gè)比特，TLC可以存儲(chǔ)3個(gè)比特，QLC則可以存儲(chǔ)4個(gè)比特。NAND Flash 的單個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)的比特位越多，讀寫性能會(huì)越差，壽命也越短，但是成本會(huì)更低。
相比于 Nor Flash，Nand Flash 寫入性能好，大容量下成本低。目前，絕大部分手機(jī)和平板等移動(dòng)設(shè)備中所使用的 eMMC 內(nèi)部的 Flash Memory 都屬于 Nand Flash。PC 中的固態(tài)硬盤中也是使用 Nand Flash。
eMMC = Nand + 控制器 + 標(biāo)準(zhǔn)封裝接口
eMMC相當(dāng)于Nand Flash+主控IC ，它的一個(gè)明顯優(yōu)勢(shì)是在封裝中集成了一個(gè)控制器，提供標(biāo)準(zhǔn)接口并管理閃存。
eMMC和Nand flash 之間的區(qū)別，主要是：在組成結(jié)構(gòu)上，eMMC存儲(chǔ)芯片簡(jiǎn)化了存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)，將Nand Flash芯片和控制芯片以MCP技術(shù)封裝在一起，省去零組件耗用電路板的面積，同時(shí)也讓手機(jī)廠商或是計(jì)算機(jī)廠商在設(shè)計(jì)新產(chǎn)品時(shí)的便利性大大提高。而Nand Flash僅僅只是一塊存儲(chǔ)設(shè)備，若要進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)脑?，只能通過主機(jī)端的控制器來進(jìn)行操作。
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UFS = Nand + 控制器 + 標(biāo)準(zhǔn)封裝接口
UFS最新標(biāo)準(zhǔn)是UFS4.0，它是eMMC的進(jìn)階版，最大帶寬可以達(dá)到23.2Gbps，讀取速度高達(dá)4200MBps，寫入速度高達(dá)2800MBps。目前，大多數(shù)5G手機(jī)的機(jī)型都用上了UFS 儲(chǔ)存方案。
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往期存儲(chǔ)知識(shí)回顧：
芯科普 | 一文了解SPI NAND Flash和SPI NOR Flash的區(qū)別
